Descripción
semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Es un dispositivo, extremadamente rápido, muy útil en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Ademas, puede ser utilizado en circuitos de amplificación de señales bajas, inversor de estados lógicos (TTL o CMOS), controlar Reles (Relay) y motores de baja potencias, entre otros muchos usos.
Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-92
- Transistor complementario del 2N2907 / 2N2907A
- Transistor equivalente a 2N2222 / NTE123AP
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector – Emisor (VCE): 40V
- Voltaje Colector – Base (VCB): 75V
- Voltaje Emisor – Base (VEB): 6V
- Corriente Colector (IC): 600mA
- Potencia Máxima Disipada (PD): 625 mW
- Ganancia Máxima (hFE): 300
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 250 MHz
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