2N3904 NPN 200MA

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SKU: 032003 Categoría:

Descripción

Es un semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran tensiones de hasta 40VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Características:

  • Tipo de Encapsulado: TO-92
  • Transistor complementario del 2N3906
  • Transistor equivalente a 2N3903 / NTE123AP
  • Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
  • Voltaje Colector – Emisor (VCE): 40V
  • Voltaje Colector – Base (VCB): 60V
  • Voltaje Emisor – Base (VEB): 6V
  • Corriente Colector (IC): 200mA
  • Potencia Máxima Disipada (PD): 625 mW
  • Ganancia Máxima (hFE): 300
  • Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 270 MHz

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