Descripción
Características
• Voltaje drain-source: Max 55V
• Voltaje Gate-Source: Max 20V
• Corriente continua en Drain: Max 49A
• Potencia total: Max 110 W
• Temperatura de almacenaje y operación: -55°C a 175°C.
• Encapsulado: TO220AB
MOSFET IRFLZ44N
$2,500
Transistor MOSFET de canal N, 55V, 49A, 17.5mΩ en encapsulado TO220AB, está diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha. Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
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