MOSFET IRFZ44N

$2,500

Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM).

75 disponibles

SKU: 038003 Categoría:

Descripción

CaracterísticasValor
Voltaje Drenador Surtidor (VDDS)55V
Corriente de Drenador (ID)49 A
Resistencia Estática Drenador Surtidor (R DS (ON))0.032Ω Máx
Potencia Total de Disipación ( PD)94W

Este tipo de componente es fabricado por la International Rectifier entre otros fabricantes que más adelante detallaremos, utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja resistencia por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación y su diseño solido de dispositivos de los MOSFET de potencia HEXFET, ofrece al diseñador una extremadamente eficiencia y un dispositivo fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El encapsulado TO-220 es universalmente preferido por todos los comerciantes e industrias en las aplicaciones de disipación de energía en niveles de alrededor de 50 vatios. La baja conductividad térmica, resistencia y bajo costo del encapsulado TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria. Este consta de 3 pines Drenador, Surtidor y Puerta o Compuerta los mismos también pueden encontrarse en otros tipos de encapsulados. En la figura I. se muestra su distribución de pines y estructura interna.

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